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LAVIE開発者に聞くテレワークに特化した最強のプレミアムモバイルノート誕生の裏側
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All rights reserved. それまで真空管を使っていたラジオ放送の受信機を、半導体素子であるトランジスタに代えて小型・軽量・低消費電力化したのがトランジスタラジオ。東京通信工業（現sony）によって、1955年「tr-55」が発売されました。このトランジスタの製造工程での歩留まり向上を目指す研究で「量子トンネル効果」の発見につながります。 "�$z@���9{�Yq@� >�>�r;��:�t��2�Y������
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��adb����_����i��UA���n~�IZ? 本節では，超微細化超高集積化の進展と共に顕在化してきた半導体集積回路技術 における様々な問題点を述べる。 2－1．消費電力の増大 微細化によりトランジスタの動作時の電流密度及び静的なリーク電流 … 半導体の部屋半導体とは 半導体の歴史・誕生は、1874年の整流器（AC-DC 1947年に米国・ベル研究所でバーディーン、ブラッテンによって点接触型 その後、
現在もまだアナログ半導体向けに4インチや6インチのウェハーを使うラインが残っているのはいくつか理由はあるが、そのうちの1つはダイサイズが小さいために無理に大きなウェハーを使わなくても効率的に生産できるため、ということがある。 NVMe SSDでOSやアプリの起動も高速！
こうなると6インチでもまだ効率は悪く、実際には8インチクラスでも十分ではないだろう。とはいえ急にウェハーサイズは広げられないわけで、まずは1993年に6インチウェハーから8インチウェハーへの移行を果たしつつ、さらなる微細化を推進することになる。 半導体の歴史は微細化の歴史であると共にシリコンウェーハ大口径化の歴史でもあった（図2）。1960年過ぎに、まず直径0.75インチ（約20mm）前後のシリコン単結晶ウェーハが入手できるようになった。 1970年に10μmだった半導体の加工寸法は，最新のLSIで50nm付近にまで小さくなった。なんと1/200の大きさである。この微細加工の技術がコンピュータの進化を促し，デジタル家電や携帯電話機を生み出す原動力となった。チップ面積当たりの集積度が18カ月で2倍になる「ムーアの法則」を支えているのは，まさにこの微細加工の技術である。
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「半導体集積回路に搭載されるトランジスタの数は毎年2倍で増えていく」。これが1965年に当時米フェアチャイルド・セミコンダクターにいたゴードン・ムーア博士が提案した、社会現象の「法則」です。のちにムーアの法則と呼ばれるようになった原型です。 ロジック半導体の微細化は、おおよそ、以下のような歴史で進んできました（表1）。 1980年代 5um、3um、2um、1.5um、1.2um／1.0um、0.8um 半導体の歴史はウェーハ大口径化の歴史. 集積回路（しゅうせきかいろ、英: integrated circuit, IC ）は、半導体の表面に、微細かつ複雑な電子回路を形成した上で封入した電子部品である。.
半導体の製造工程で使用されるエッチング装置の製品ラインアップをご紹介します。半導体の製造工程では、高性能な計測・検査装置による品質管理が不可欠です。半導体の開発・製造・不良解析などに用いられる、最先端の解析装置をご紹介します。関連リンク
またそうした新しい方式では、時として製造装置の入れ替えが必要になるケースも当然出てくる。一番大きく変わるのが露光装置で、これはマスクパターンをウェハーに焼き付けるための装置だ。
ウェハー1枚から取れるダイの数
この当時は、微細化が進めばメリットを割と簡単に享受できた。そのメリットとは以下の通り。
この14個/平方インチは4インチ以上のウェハーが必要ということがわかりいただけようか。もちろんこれはダイサイズが4分の1インチ角のケースの想定なので、もっとダイサイズが大きくなれば6インチでもまだ効率が悪いことになるし、逆にもっと小さいダイサイズであれば4インチでも十分効率良く取れる。
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「半導体集積回路に搭載されるトランジスタの数は毎年2倍で増えていく」。これが1965年に当時米フェアチャイルド・セミコンダクターにいたゴードン・ムーア博士が提案した、社会現象の「法則」です。のちにムーアの法則と呼ばれるようになった原型です。
2014年02月17日 12時00分更新文● 大原雄介（
1970年代、Intelに続いて、NEC、東芝、日立など国内半導体各社が4ビットマイコン、8ビットマイコン、さらには16ビットマイコンを開発、量産化していった。 マイコンは当初産業用といわれたが、オフィス機器、家電機器、端末機器、自動車、産業機器などへと用途が広がっていった。
(I���P�6�.����F���wd�c�6�ܢ8�UT�a��U�a_[Z��[�,g�kZ��.�b�l��mH�Y�O�B�^�_(hi�;xW�h{-BJG���sOV���漇�f��+���Q�y�-�A� 第10世代Coreにタッチパネルも入って約1.32kg！ 1日使えて、価格もお手頃
半導体の微細化を加速している。 Large-scale integration of semiconductor devices offers such advantages as higher performance, enhanced functions, and greater reliability as well as reduced production cost.
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1平方インチあたりのダイ数 1991年のP650でついに1μmを切る0.8μmまでプロセスの微細化を済ませたあと、1993年には0.6μmプロセスを実現する。
理論上は正方形のウェハーを作れば16個/平方インチが達成できることになるが、これは加工がとても大変になるので普通は円形である。この場合、どうしても周囲に無駄な部分が出ることは避けられず、おおむね14個/平方インチあたりが限界値になるわけだ。
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ある程度の大きなダイを製造したい場合、ウェハーの大型化は効率をあげるために必須である。一例として4分の1インチ角(6.35×6.35mm)のダイを直径1～6インチのウェハーで製造した場合、切り代を考えなければウェハー1枚から何個取れるかを考えてみたい。
2001, 2020.
© Hitachi High-Tech Corporation. ���T<7W�t5 �it(n1����3�26u\!�XXݜ�H0�����(�L�,&��\=,vl��Z�pR�_7� Kߢ��o����l`$�H��F�Yb�W_��\�b�Y- �e���6X&��? 毎日45％ポイント還元アリの電子コミック「まんが王国」がお得感No.1なワケ
To achieve large-scale integration on a practical basis, there is a strong need for progress in ultrafine processing technology, which forms the critical circuit patterns. ゲームもテレワークも1台でこなしたい！
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上図が実際に取ってみた例で、赤い部分がまともなダイの部分である。1インチのウェハーだとわずか5個しか取れないのが、ウェハーを大きくするとどんどん取れる数が上がってゆく。ここで、1平方インチあたり何個のダイが取れるかを図にしたのが下のグラフだ。 クラウドネイティブな「Veeam Backup for Microsoft Azure」発売、マルチクラウド時代に備える選択
逆にCPUのような高速ロジックの場合、もっと大きなダイサイズを想定している。今回の例では40mm
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微細化のための素子設計のルールである。1960年代か ら現在に至るまで、基本的には、このルールに従って、 ひたすら素子の微細化を追求した結果、現在は、MOS-FETのチャネル長で30 nm程度、最も近接したMOS-FET間のゲートピッチで120 nm程度の極微細トランジ
においても微細化が続き，2028年にはハーフピッチが7.7 nmに達するとしている． 素子と配線寸法の微細化（“ More Moore ”）とともに，半導体集積回路の多様化が進んでい る．ITRSでは多様化（“More than Moore”）についても記載している．製造プロセスの異なる
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